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Micro-Epsilon推出90°光路晶圆测厚传感器

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AI 综述

Micro-Epsilon 扩展其 interferoMETER 白光干涉仪系列,新增采用 90° 光路的传感器 interferoMETER IMP-NIR-TH3/90/IP68,用于硅与碳化硅半导体晶圆生产中的厚度测量。该传感器具备 IP68 防护和集成空气吹扫,工作距离 3mm、光斑直径 15μm,不锈钢外壳可直接装入机床,适合安装空间有限、颗粒负载高的场合,如浆料研磨工序。 传感器由 IMS5420 控制器驱动,采用波长范围 1,100nm 的宽带超辐射发光二极管,一套系统可测未掺杂、掺杂与高掺杂硅晶圆。在 24mm 距离下可测 50 至 1050µm 厚度、掺杂度最高 5mΩ cm,z 轴分辨率优于 1nm;对电阻率 0.005Ωcm 的高掺杂晶圆可测 0.05mm 至 0.85mm 厚度。测量速率最高 6kHz,用于研磨、研磨后及过程中的在线与近线测厚和质量控制,也可用于玻璃和薄膜测厚。 IMS5420 提供厚度测量系统与多峰版本,后者可测最多五层,硅厚度 0.05 至 1.05mm,可测气隙厚度达 4mm。系统配有 Web 界面,并提供 EtherCAT、Ethernet、Profinet、EtherNet/IP、RS422 及模拟量等接口。

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10月23日
  1. Machinery Market · 英国制造业新闻
    Micro-Epsilon 推出 90° 光路 interferoMETER IMP-NIR-TH3/90/IP68 晶圆测厚传感器

    Micro-Epsilon 扩展 interferoMETER 白光干涉仪系列,新增采用 90° 光路的传感器 interferoMETER IMP-NIR-TH3/90/IP68,可在硅与碳化硅半导体晶圆生产中实现稳定的厚度测量。该传感器具备 IP68 防护等级和集成空气吹扫装置,工作距离仅 3mm、光斑直径 15μm,适合安装空间极为有限且颗粒负载高的场合,例如浆料研磨工序,不锈钢外壳可直接装入机床。传感器由 IMS5420 控制器驱动,该系统采用波长范围 1,100nm 的宽带超辐射发光二极管(SLED),一套系统即可测量未掺杂、掺杂与高掺杂硅晶圆。在 24mm 距离下可测 50 至 1050µm 厚度、掺杂度最高 5mΩ cm,z 轴分辨率优于 1nm;对电阻率 0.005Ωcm 的高掺杂晶圆可测 0.05mm 至 0.85mm 厚度。测量速率最高 6kHz,适用于研磨、研磨后及过程中的在线与近线测厚以及质量控制,也可用于玻璃和薄膜测厚。IMS5420 提供厚度测量系统与多峰(MP)版本,后者可测最多五层(如晶圆厚度、气隙、薄膜及 >50µm 涂层),硅厚度 0.05 至 1.05mm,可测气隙厚度达 4mm。系统配有直观的 Web 界面,并提供 EtherCAT、Ethernet、Profinet、EtherNet/IP、RS422 及模拟量等接口。